202011251340 一种用于5g智能设备的多存储芯片堆叠封装构件及其制备方法
本发明涉及一种用于5g智能设备的多存储芯片堆叠封装构件及其制备方法，通过在模塑封装层上旋涂pedot:pss水溶液、银纳米线悬浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成线路层，先利用成膜性能优异的pedot:pss形成一有机导电层，进而在有机导电层上形成一银纳米线网格，接着在所述银纳米线网格上形成一氧化石墨烯层，氧化石墨烯层的存在可以有效地使银纳米线网格中的相互接触的银纳米线的接合更加紧密，进而形成导电性能优异、稳固性好的线路层，进而可以将其应用于多存储芯片堆叠封装构中，以代替现有的常规布线结构，有效降低成本。进一步的，通过在模塑封装层上形成多个凹槽结构，进而使得线路层嵌入并填满所述凹槽结构，进一步提高了线路层的稳固性和可弯折性能。
